仮接合・剥離
3次元積層のためのウェーハ裏面プロセスを可能にする仮接合・剥離技術
イントロダクション
仮接合は、ウェーハの薄化を可能にし、薄ウェーハの搬送をサポートするために不可欠なプロセスです。これは、2.5D、3D IC、ファンアウト・ウェーハレベル・パッケージング（FoWLP）ウェーハなどの先端パッケージング、そしてパワーデバイスや化合物半導体、MEMSウェーハなどの壊れやすい基板を搬送する工程においての鍵となっています。EVGは、仮接合技術や剥離装置などを含むウェーハ接合に関する優れたノウハウがあり、2001年の関連装置リリース以来、大手のファブ、ファウンドリ、パッケージング企業にこれらの技術と装置を提供しています。
剥離技術におけるEVGの最新のイノベーションはUVおよびIRレーザー剥離技術です。幅広いプロセスウィンドウと、スムーズなプロセス統合を実現する低温剥離により、次世代デバイス向けの超薄型チップとパッケージの製造が可能になっています。これらの剥離技術は、先端パッケージングのHVM生産に初めて導入されたEVGの熱スライドオフ剥離を補完するものです。
EVGでは、市販されている各種の材料に対応するオープンプラットフォームで、EVGが提供する様々な剥離技術と組み合わせることにより、特殊な要件を持つ幅広いアプリケーションに合わせてカスタマイズされたソリューションを実現します。
- 熱スライドオフ剥離は、高温での熱可塑性接着層の軟化を利用して、デバイスウェーハを支持基板から剥離します。
- UVレーザー剥離は、デバイスウェーハの種類や表面状態に依存することなく、UVレーザー剥離層を分解してデバイスウェーハとUV光が透過可能な支持基板を剥離します。
- IRレーザー剥離（LayerRelease）は、無機溶剤で洗浄可能な無機IRレーザー剥離層を施したシリコン支持基板に使用することができます。
特長
- 各種接着剤に対応したオープンプラットフォーム
- 熱スライドオフ、UVレーザーまたはIR Layer Release剥離
- スループット最適化のためのモジュール構成
- 1台の設備で様々な基板サイズに対応するブリッジ機能
- 複数のロードポートオプションや組み合わせが可能
- フィルムフレーム、スタンドアロンウェーハ、または薄ウェーハ用支持基板が利用できる出力オプション
- 自動装置内に搭載した測定装置の補正機能によるプロセスの高歩留まりを実現
- 装置パフォーマンス追跡のため全プロセスをソフトウェアによりモニタリング
- SECS/GEMインターフェイスを搭載
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