ウェーハ接合装置

フュージョン/ウェーハ直接接合は、それぞれのウェーハ界面の絶縁膜を介した永久接合を可能にし、各種の先端/複合基板の製造や裏面照射型CMOSイメージングセンサーに代表されるレイヤー・トランスファーアプリケーションに用いられています。フュージョン接合技術をさらに発展させたハイブリッド接合は、各ウェーハ表面に埋め込まれた金属パッド部同士まで一括で接合することを可能にし、これからの先端3D積層デバイスの実装技術として注目されています。

EVGのウェーハ接合装置は、最適な総所有コスト（total Cost of Ownership）と高い歩留まりを実現するためのさまざまな機能が選択可能で、柔軟に装置を構成することができます。MEMS製造、3次元集積化や先端パッケージ向けなど様々な用途での要件に対応できるよう、ボンドアライメント用各種モジュールとの組み合わせが可能です。

EVG's IR LayerRelease™ enables an IR laser-initiated release of any ultra-thin film or layer from silicon carriers with nanometer precision.

仮接合は3D IC、パワーデバイスやファンアウト・ウェーハレベル・パッケージング（FoWLP）ウェーハ、そして化合物半導体などの薄化済、または薄化される基板を安全に処理するために、機械的にサポートするための重要なプロセスです。仮接合装置は2001年に初リリースされ、EVG創業以来蓄積されたウェーハ接合のノウハウのすべてが反映されています。

アプリケーションやお客様からの要件に応じて、異なるD2W接合方式が選択・利用可能です。

EV Groupは1985年に世界初の両面アライメント装置を発明し、MEMS技術に革命をもたらしました。ウェーハの位置合わせと接合の工程を分離することでボンドアライメントプロセスの世界的な業界標準を確立しました。