TCBは、パッケージされた内部の構造物と電気配線の封止を1工程で行うことができます。TCBで最も使用される材料は、拡散反応が速いAu、Al、Cuなどです。AuはAlやCuに比べて拡散に必要な温度が低く、酸化されにくいという利点があります。拡散速度は、原子が結晶格子間に拡散する際に選択された温度と印加圧力に依存します。ここで、標準的な表面拡散に加えて、粒界拡散とバルク拡散が発生します。
この技術では、電界をかけずに低温でウェーハレベルの接合を実現します。その上で、接合時の応力やアライメントのズレを防ぐために、CTE(熱膨張係数)を適切に制御し、ウェーハの膨張を同期させることが重要です。さらに、加える力とその均一性も重要となり、これは金属の密度(特徴)やウェーハのサイズにも依存します。TCBでは、接合温度と印加圧力が反比例するので、これによって、接合パラメータを調整することが可能となります。
Wednesday, November 29, 2023
Visit our Booth S9 & listen to our talks "High–Resolution Patterning by Maskless Exposure Technology contributing to Traceability Efforts in Semiconductors" held by Dr. Varga Ksenija and "Wafer-to-Wafer and Die-to-Wafer Hybrid Bonding for Advanced Interconnects" held by Dr. Dragoi Viorel.
Visit our booth #16 & Listen to our talk "Wafer Bonding as Next Generation Scaling Booster" held by our Executive Technology Director Lindner Paul on 12 Dec, 2:15 PM as well as the AMAT IEDM Logic Panel on 12 Dec, 06:20 PM at Hotel Nikko!