TCBは、パッケージされた内部の構造物と電気配線の封止を1工程で行うことができます。TCBで最も使用される材料は、拡散反応が速いAu、Al、Cuなどです。AuはAlやCuに比べて拡散に必要な温度が低く、酸化されにくいという利点があります。拡散速度は、原子が結晶格子間に拡散する際に選択された温度と印加圧力に依存します。ここで、標準的な表面拡散に加えて、粒界拡散とバルク拡散が発生します。
この技術では、電界をかけずに低温でウェーハレベルの接合を実現します。その上で、接合時の応力やアライメントのズレを防ぐために、CTE(熱膨張係数)を適切に制御し、ウェーハの膨張を同期させることが重要です。さらに、加える力とその均一性も重要となり、これは金属の密度(特徴)やウェーハのサイズにも依存します。TCBでは、接合温度と印加圧力が反比例するので、これによって、接合パラメータを調整することが可能となります。
Visit EVG's booth at The International Conference on Wafer Bonding and listen to our talks:
"Impact of Surface Condition on In-Plane Distortion in Si Wafer Bonding: Correlation with Adhesion Energy and Bondwave Propagation Speed" by Technology Development Dr. Christoph Flötgen.
“Advanced IR Laser Debonding on Silicon Wafers for RDL- first FOWLP” by Supervisor Process Technology Peter Urban.
“D2W Bonding of III-V and piezo electrical materials for Heterogeneous Integration” by Team Leader Process Technology Mariana Pires.
“Comprehensive Bond strength optimization of LiTaO3 bonding using ComBond Technology” by Supervisor Process Technology Michael Dornetshumer.
“ComBond Bonding of Diamond and other Materials for Advanced Thermal Management” by Senior Process Technology Engineer Matthias Danner.
and visit the Poster Presentation, where we present following topic:
“Comparative Analysis of Atmospheric and ComBond-Activated TiTi thermos-compression Bonding” by Team Leader Process Technology Thomas Stöttinger.
Visit our booth #B1241 at SEMICON EUROPA 2025 & visit our poster presentation at the APC:
"High Throughput Digital Lithography Development for 3D Device Integration " held by Business Development Manager Dr. Ksenija Varga.
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