ステップ＆リピート・ナノインプリント・リソグラフィ装置
EVG770NTは複雑な構造 / 超微細パターンの効率的マスター製造、また直接パターニング向けのステップ＆リピート（S&R）・ナノインプリント・リソグラフィプロセスに幅広く使用されるプラットフォームです。この装置では最大30cm2までの小さなダイを基に均一に複製したテンプレートを作製することができます。S&Rプロセスは、Gen2パネルサイズまでの基板に対応し、これらのダイを広範囲にわたってパターニングすることを可能にしています。S&Rインプリンティングは、ウェーハレベル・オプティクス（WLO）やEVGのSmartNILプロセスに必要なマスターを効率的に製造するために、ダイヤモンドターニングや直描方式で作製された原版と組み合わせて使用されています。このプロセスは、近年では拡張現実用の導波路、光センサー、回析光学、人工電磁的超界面、そしてバイオメディカル向けのデバイスにとって、非常に重要な技術となっています。
EVG770NTは、高精度位置合わせ機能、緻密なプロセスパラメータ制御など、さまざまなパターン構造や材料に対応する幅広い機能が備わっています。
特長
- ウェーハレベル・オプティクスのマイクロレンズから、SmartNIL®向けのナノ構造までの最高品質のマスター製造
- パネルサイズまでのより大きな基板サイズへの展開
- マスターの容易な段取り替え
- 各種レジスト滴下モード
- レジスト滴下、インプリント、離型プロセス時のライブ画像
- インプリンティング力と離型力のin-situ制御
- 光学距離制御と即時ギャップ測定
- オプションによるインライン測定
- オプション搭載可能なスタンプバッファと自動交換機能
- カセット・トゥ・カセット自動搬送オプション
技術データ
| 対応基板サイズ |
|---|
| 80 mm, 4”, 6”, 8”, 12”, Gen2 (370 mm x 470 mm) |
| ダイ・トゥ・ダイ配置精度 |
|---|
| < +/- 1 µm |
| ライブアライメント |
|---|
| < +/- 250 nm |
| 最大テンプレート寸法 |
|---|
| 80 mm x 80 mm |
| 有効インプリント範囲 |
|---|
| 30 cm² |
| LED露光波長 |
|---|
| 365 nm |
| 露光強度 |
|---|
| > 300 mW/cm² |
| レジスト粘度対応範囲 |
|---|
| 100-10000 cp |
| ディスペンスシステム対応各種材料 |
|---|
| IPA, PGMEA, MEK, アセトン |
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