EV Group技術情報光リソグラフィ

光リソグラフィ

EV Groupが提供するリソグラフィ技術の幅広い可能性を最大限に引き出す完全なるポートフォリオ

Introduction

構造物を感光性材料によってマスク露光する光リソグラフィは、半導体製造の前工程に用いられる確立された技術です。今日の光リソグラフィの主な要件は、いくつかの重要なパラメーターによって定義されています。サブミクロンのアライメント精度、マスクとウェーハ間の制御された均一な近接ギャップ、そしてレジスト感度に対応する明確に定義され正確に制御された露光スペクトルは、考慮されるべき最も重要な基準の 1 つです。さらにEVGでは、お客様独自のプロセスのニーズに合わせたカスタマイズソリューションなど、お客様に焦点を合わせたサービスを提供しております。お客様独自の特別な要件を理解し、それに応じた装置の構成を柔軟に行うEVGは、リソグラフィ技術関連のポートフォリオを常に強化しながら市場に独自のコア・コンピテンスをもたらしています。

光リソグラフィは新しい半導体デバイス設計の微細化要求に応えるために長年に亘って進化し続けてきました。そしてEVGも同様に、1985年の世界初の両面マスクアライナーの発明から、250nmまでの上面アライメントを実現したIQ Aligner NTに至る今日まで、常に将来の市場ニーズを先取りし、光リソグラフィ技術の分野で多くのイノベーションを生み出してきました。さらにEVGの装置は、温度制御ツールセットによるランアウト制御機能、自動クロス補正、全自動マスククリアフィールド、エッジアライメントモード、ダイナミックアライメントモードなど、数多くの高度なアライメント機能の実装を可能にしています。EVGのマスクアライメント製品群に搭載された最新技術にはUV-LED技術があります。この技術によって、スペクトル線を個別に調整することができるため、特殊な光学フィルターが不要となり、ユーザーのアプリケーションにおけるUV露光スペクトルの設定に大きな自由度をもたらします。同時に、UV-LED ランプハウスのメンテナンスも最小限に抑えることができます。EVG独自のSmartNIL技術だけでなく、接合、透過型または反射型IRアライメントなどのさらなる機能により、EVGのマスクアライナーは非常に充実した先進的な機能を備えています。この技術は、今では世界市場で確立されたものになっており、ウェーハバンプ形成、再配線層(RDL)およびビアエッチングマスクの作製、ビアボトム開口プロセス、薄ウェーハまたは仮接合ウェーハ上でのリソグラフィなど、あらゆる重要な必須工程を担っています。研究開発用の半自動システムから、量産向けカセット・トゥ・カセットプロセスの全自動システムに至るまで、様々な用途向けに装置を構成することが可能です。

特長

  • アライメントモード
    • 上面アライメント
    • 下面アライメント
    • IRアライメント: 透過型、または反射型
    • ボンドアライメント
    • NILアライメント
  • 露光源
    • 水銀光源
    • UV LED光源
  • 露光設定
    • バキュームコンタクト|ハードコンタクト|ソフトコンタクト|プロキシミティモード
    • 露光中にステージやマスクの移動が可能なフレックスモード
  • 均一な露光が可能なウェッジ補正
    • 全自動 - SW制御、各種制御オプション
    • 近接スペーサーによる非接触
    • 接触荷重をレシピ制御 [5N〜80N]
  • 250 nmまでの全面アライメント改善、オフセット補正、ランアウト制御、またはエッジアライメントなどが可能なさまざまなアライメント機能(高度なアルゴリズム使用)
  • ファイル共有とバックアップソリューションを含むシステム制御、レシピ数無制限、多言語ユーザー GUI とサポート、リアルタイム リモート アクセス、診断とトラブルシューティング
  • 産業オートメーション機能
    • カセット、SMIF、FOUP、SECS/GEM、薄型、反り、エッジウェーハ搬送
  • ナノインプリント・リソグラフィ技術
  • プロセスおよび機械制御の統合分析機能、並列タスク/キューイングタスク処理機能、装置およびプロセスのパフォーマンストラッキング機能、スマート搬送、発生およびアラーム分析、スマートメンテナンス管理およびトラッキングなどのスマートプロセス制御およびデータ分析機能

数値

EVG®620 NTによる深さ150μmのKOHエッチングされたキャビティの高焦点露光
EVG®620 NTによる深さ150μmのKOHエッチングされたキャビティの高焦点露光
20μm厚のレジスト上に形成されたMEMS構造
20μm厚のレジスト上に形成されたMEMS構造
ブラックレジスト露光
ブラックレジスト露光
光学MEMS、遮光、投影向けブラックレジスト露光
光学MEMS、遮光、投影向けブラックレジスト露光
細胞選別およびマイクロ流体アプリケーション用高アスペクト比ピラー、IQ Aligner® NTでの100 um厚レジストパターニング
細胞選別およびマイクロ流体アプリケーション用高アスペクト比ピラー、IQ Aligner® NTでの100 um厚レジストパターニング
NanoSprayTM 技術と EVG®6200 NTで露光を組み合わせて塗布されたTSVの底面開口部
NanoSprayTM 技術と EVG®6200 NTで露光を組み合わせて塗布されたTSVの底面開口部
50 um 厚の SU-8 露光ピラー、側壁角度 90° +/- 0.5°、露光およびプロセス方法の最適化により実現
50 um 厚の SU-8 露光ピラー、側壁角度 90° +/- 0.5°、露光およびプロセス方法の最適化により実現

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