ComBond^®高真空ウェーハ接合技術

「あらゆる材料の組み合わせ」同士を接合し、“Beyond CMOS”新興デバイスの設計を可能にする真に画期的なテクノロジー

イントロダクション

ComBond技術は、より高度な統合プロセスに対する市場のニーズに応え、EVG独自のウェーハ接合装置と接合技術のポートフォリオに新たなマイルストーンを刻みます。そのアプリケーション領域は、先端基板製造や積層型太陽電池、パワーデバイスからハイエンドMEMSパッケージング、高性能ロジック、そして、"beyond CMOS"の新デバイスにまでに及びます。

ComBondプラットフォームは、異種材料同士の接合界面の形成を室温で可能にすると同時に、優れた接合強度と電気伝導性を実現するなど、いくつかの技術的ブレークスルーを積み重ねて完成しました。ComBondは高真空下でのMEMSデバイスの封止も行うことができます。そのほか、ウェーハクランピングを搭載した光学アライメント、プログラム可能な脱水ベークとゲッター活性化、ボンドチャンバーでの接合、高真空下でのウェーハハンドリング機能などを備えています。

EVGの画期的なウェーハ活性化技術と高真空下での搬送やプロセスによって、室温または低温下で先端基板やデバイス構造付き基板の共有結合を行うことができます。ComBondは、独自の酸化膜除去プロセスによる導電性接合界面の形成だけでなく、異なる格子定数や熱膨張係数（CTE）を有する異種材料同士の接合を可能にします。また、EVG ComBondの高真空技術は、アルミニウムのように、大気中で瞬時に再酸化する金属なども低温接合することができます。あらゆる材料の組み合わせで、ボイドやパーティクルフリーの接合界面と、優れた接合強度を実現します。

ウェーハの位置合わせ有りの接合による真空封止では、プログラム可能な脱水ベークモジュールとゲッター活性化モジュール、またはウェーハクランプ機構付き光学アライメントモジュールの追加により、接合機能を向上させます。高真空プロセスでの搬送とプロセスに対応したプラットフォームは、最先端のMEMSやその他のアプリケーションで高まる高真空プロセスへの要求に対応します。

材料特性の大きく異なる基板同士の常温接合が求められる市場アプリケーションには、先端複合基板、パワーデバイス、積層型太陽電池、MEMSデバイスなどがあります。この新しい酸化膜フリー接合技術は、シリコンフォトニクス、高真空MEMSパッケージ、化合物半導体など、高移動度トランジスタ、高性能/低消費電力ロジック、無線周波数（RF）デバイスなど、”beyond CMOS”のアプリケーションに向けた先端複合基板に特に有用されます。