SOIおよび直接ウェーハ接合向け自動量産接合システム
SOIウェーハは、より迅速かつ高性能なデバイスの製造を可能にする有望な基盤材料として、マイクロエレクトロニクス産業で注目されています。ウェーハ接合は、SOI（Silicon on Insulator）ウェーハの製造だけでなく、POI（Piezo on Insulator）などの各種エンジニアード基板の製造を支える重要な基幹技術です。POIの一種であるTFLN（薄膜ニオブ酸リチウム）は、量子技術やフォトニクス分野で活用されています。
EVG850SOI自動量産ウェーハ接合システムは、フュージョン接合（Fusion Bonding）のための包括的なソリューションを提供します。メカニカルアライメント方式のSOIおよび直接接合向けにLowTemp™プラズマ活性化技術を採用し、表面活性化・洗浄からプリボンディング、IR検査まで、フュージョン接合プロセスに必要なすべての工程を1台の装置に統合しています。高スループットかつ高歩留まりの量産環境向けに設計された唯一の生産システムとして、実績あるEVG850SOIは、ボイドフリーなウェーハ接合を実現する信頼性の高い量産プロセスを提供します。
特長
- EVGのLowTemp™プラズマ活性化によるSOIおよび直接ウェーハ接合
- 幅広いフュージョン接合／分子間接合アプリケーションに対応
- 高スループット・高歩留まりの量産環境向けに設計
- 自動カセット・トゥ・カセット搬送（Ergo Load、SMIF、FOUP対応）
- コンタミネーションフリーの裏面搬送
- 極めて低いパーティクルレベルを実現する洗浄技術
- フラット／ノッチ認識によるメカニカルアライメント方式のプリボンディング
- 高度なリモート診断機能
技術データ
| ウェーハ径（基板サイズ） |
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| 100 - 200, 150 - 300 mm |
| 全自動カセット・トゥ・カセット運用 |
| プリボンディングチャンバー |
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| アライメント方式：フラット・トゥ・フラットまたはノッチ・トゥ・ノッチ |
| アライメント精度：XおよびY：± 50 µm、シータ：± 0.1 ° |
| 接合荷重：最大5 N |
| 接合ウェーブ開始位置：ウェーハエッジから中心まで柔軟に設定可能 |
| 真空システム：9x10-2 mbar（標準）および 9x10-3 mbar（ターボポンプ付きオプション） |
| LowTemp™プラズマ活性化モジュール |
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| 標準プロセスガス2系統（N₂、O₂）に加え、追加プロセスガス2系統を搭載可能 高純度ガス（99.999%）、希ガス（Ar、He、Neなど）、およびフォーミングガス（N₂またはAr＋最大4%H₂）に対応 |
| 最大3種類のプロセスガスに対応。ガス混合およびレシピプログラム設定に対応 |
| 真空システム：9x10-2（標準）および 9x10-3 mbar（ターボポンプ付きオプション）、高周波RFジェネレーターおよびマッチングユニット |
| 洗浄ステーション |
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| 洗浄方式：リンス（標準）、メガソニックノズル、メガソニックエリアトランスデューサー、ジェットノズル、ブラシ洗浄（オプション） |
| チャンバー：PP（ポリプロピレン）製 |
| 洗浄媒体：純水（標準）、NH₄OHやクエン酸などの希釈洗浄液に対応 |
| スピンチャック：金属イオンフリーのクリーン材料を採用した低接触真空チャック（標準）、ESD対応 |
| 回転速度：最大3,000rpm（5秒以内で到達） |
| 洗浄アーム：最大5系統のメディアラインに対応（メガソニックシステム1基につき2ラインを使用） |
| オプション機能 |
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| ISO 3 ミニエンバイロメント（ISO 14644準拠） |
| LowTemp™プラズマ活性化チャンバー |
| IR検査ステーション |
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