SOI、MEMS、化合物半導体、先端基板接合用の低温プラズマ活性化装置
EVG810 LT LowTemp™プラズマ活性化装置は、手動操作式のシングルチャンバー・スタンドアローンユニットです。プロセスチャンバーでは、ex-situプロセス（ウェーハを1枚ずつ活性化し、プラズマ活性化チャンバーの外で接合）が可能です。EVG810 LTシステムは、EVGの洗浄システムおよび接合システムと組み合わせることで、手動操作による直接接合プロセスが可能になります。
Features
- 低温接合（フュージョン / 分子接合および中間層接合）向けの表面プラズマ活性化
- あらゆるウェーハ接合メカニズムの中で最速の反応速度
- ウェットプロセス不要
- 低温アニール（最大400°C）で最高の接合強度を実現
- SOI、MEMS、化合物半導体、先端基板の接合に対応
- 高度な材料適合性（CMOSを含む）
技術データ
| ウェーハ径（基板サイズ） |
|---|
| 50～200、100～300 mm |
| LowTemp™プラズマ活性化チャンバー |
|---|
| プロセスガス：標準プロセスガス2種（N2およびO2） |
| ユニバーサルマスフローコントローラー：自己校正機能付き（最大20,000 sccm） |
| 真空システム：9x10-2 mbar |
| チャンバーの開閉：自動 |
| チャンバーのロード / アンロード：手動（ウェーハ / 基板を投入ピンに装着） |
| オプション機能 |
|---|
| 異なるウェーハサイズに対応するチャック |
| 金属イオンフリー活性化 |
| 追加プロセスガス（ガス混合機能付き） |
| ターボポンプ搭載高真空システム：9x10-3 mbar（ベース圧力） |
| LowTemp™プラズマ活性化接合に対応した材料システム |
|---|
| Si：Si/Si、Si/Si（熱酸化）、Si（熱酸化）/ Si（熱酸化） |
| TEOS/TEOS（熱酸化） |
| Germanium-on-Insulator（GeOI）用Si/Ge |
| Si/Si3N4 |
| ガラス（ボロフロート、無アルカリ）：Si/ガラス、ガラス/ガラス |
| 化合物半導体：GaAs、GaP、InP |
| ポリマー：PMMA、シクロオレフィンポリマー |
| 上記およびその他の材料向けに、ベストノウンメソッド（BKM）のレシピをご利用いただけます。（全リストはご要望に応じて提供いたします） |
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