EVG BONDSCALEは、フュージョン / 分子ウェーハ接合の幅広いアプリケーションに対応するために設計され、複合基板製造やモノリシック3D(M3D)などのレイヤー・トランスファー・プロセスを用いた3次元集積化を可能にします。EVGのBONDSCALEによって、ウェーハ接合技術を半導体製造の前工程に導入し、デバイスおよびシステムの国際ロードマップ / International Roadmap for Devices and Systems (IRDS)で規定されている「More Moore」ロジックデバイスのスケーリングに関する長期的課題の解決に貢献しています。エッジアライメント技術を強化したBONDSCALEは、ウェーハ接合の生産性を大幅に向上させると共に、従来のフュージョン接合プラットフォームと比較して所有コスト(CoO)を削減します。
BONDSCALEは、業界ベンチマークであるEVGの GEMINI FB XT 全自動フュージョン接合装置と並行して販売されており、それぞれのプラットフォームが異なるアプリケーションを対象としています。BONDSCALEが主に複合基板接合とレイヤー・トランスファー・プロセスに特化しているのに対し、GEMINI FB XTは、メモリ積層、3Dシステムオンチップ(SoC)、裏面照射型CMOSイメージセンサー積層、ダイ分割等など、より高いアライメント精度を必要とするアプリケーションをサポートします。
| ウェーハ径(基板サイズ) |
|---|
| 200, 300 mm |
| 最大プロセスモジュール数 |
|---|
| 8 |
| スループット |
|---|
| 最大40枚 / 時 |
| 搬送システム |
|---|
| 4ロードポート |
| 特長 |
|---|
| クリーンモジュール、LowTemp™プラズマ活性化モジュール、アライメント検証モジュール、剥離モジュールなど、最大 8つの前処理モジュール |
| EFEM(装置フロントエンドモジュール)による最高のスループットを実現するXT Frameコンセプト |
| 光学式エッジアライメントモジュール:Xmax/Ymax = 18 µm 3 σ |

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