BONDSCALE®

全自動量産用フュージョン接合装置

More Mooreを可能にする3次元集積

EVG BONDSCALEは、フュージョン / 分子ウェーハ接合の幅広いアプリケーションに対応するために設計され、複合基板製造やモノリシック3D(M3D)などのレイヤー・トランスファー・プロセスを用いた3次元集積化を可能にします。EVGのBONDSCALEによって、ウェーハ接合技術を半導体製造の前工程に導入し、デバイスおよびシステムの国際ロードマップ / International Roadmap for Devices and Systems (IRDS)で規定されている「More Moore」ロジックデバイスのスケーリングに関する長期的課題の解決に貢献しています。エッジアライメント技術を強化したBONDSCALEは、ウェーハ接合の生産性を大幅に向上させると共に、従来のフュージョン接合プラットフォームと比較して所有コスト(CoO)を削減します。

BONDSCALEは、業界ベンチマークであるEVGの GEMINI FB XT 全自動フュージョン接合装置と並行して販売されており、それぞれのプラットフォームが異なるアプリケーションを対象としています。BONDSCALEが主に複合基板接合とレイヤー・トランスファー・プロセスに特化しているのに対し、GEMINI FB XTは、メモリ積層、3Dシステムオンチップ(SoC)、裏面照射型CMOSイメージセンサー積層、ダイ分割等など、より高いアライメント精度を必要とするアプリケーションをサポートします。

 

特長

  • 200 mmおよび300 mm基板への全自動フュージョン / 分子ウェーハ接合アプリケーションを単一プラットフォームで実現
  • プラズマ活性化によるウェーハ直接接合で、さまざまな異種材料のヘテロ集積化や高品質の先端複合基板製造、そしてシリコン薄膜のレイヤー・トランスファー・アプリケーションに対応
  • 裏面電源配線、 N&P積層、ロジック・オン・メモリ、機能クラスター積層、beyond-CMOS採用を含む、ロジックデバイスの微細化、 M3などの3次元集積、3D VLSIを可能にするレイヤー・トランスファー・プロセスと最先端基板

技術データ

ウェーハ径(基板サイズ)
200, 300 mm
最大プロセスモジュール数
8
スループット
最大40枚 / 時
搬送システム
4ロードポート
特長
クリーンモジュール、LowTemp™プラズマ活性化モジュール、アライメント検証モジュール、剥離モジュールなど、最大 8つの前処理モジュール
EFEM(装置フロントエンドモジュール)による最高のスループットを実現するXT Frameコンセプト
光学式エッジアライメントモジュール:Xmax/Ymax = 18 µm 3 σ

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