半導体デバイスの垂直積層は、デバイスの密度と性能を継続的に向上させる上で、ますます有望なアプローチとなっています。ウェーハ・トゥ・ウェーハ接合は、3D積層デバイスを実現するための不可欠なプロセスステップです。EVGのGEMINI FB XT統合フュージョン接合装置は、既存の標準をさらに発展させ、メモリ積層、3Dシステムオンチップ(SoC)、裏面照射型CMOSイメージセンサー積層、ダイ分割などのアプリケーション向けに、高い生産性と向上したアライメントおよびオーバーレイ精度を両立しています。本装置は、フュージョンおよびハイブリッドウェーハ接合のアライメント要件に合わせて特別に開発されたSmartViewボンドアライナーを搭載しています。
| ウェーハ径(基板サイズ) |
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| 200, 300 mm |
| 最大プロセスモジュール数 |
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| 6 + SmartView® NT |
| オプション機能 |
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| 剥離モジュール |
| 熱圧着接合モジュール |

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