幅広いフュージョン / 分子ウェーハ接合アプリケーションに対応する全自動量産接合装置
ウェーハ接合は、SOIウェーハ製造プロセスおよびウェーハレベル・3次元集積のための重要な基盤技術の1つです。メカニカルアライメントされたSOIおよびLowTemp™プラズマ活性化による直接ウェーハ接合用のEVG850 LT自動量産接合装置により、洗浄、プラズマ活性化からプリボンディング、IR検査に至るまで、フュージョン接合に必要なすべての主要ステップが統合されます。このように、現場で実証済みかつ業界標準のEVG850 LTは、ボイドフリー接合のための高スループット、高歩留まりの製造プロセスを実現します。
特長
- EVGのLowTemp™プラズマ活性化によるSOIおよび直接ウェーハ接合
- 幅広いフュージョン / 分子ウェーハ接合アプリケーションに最適
- 高スループット、高歩留まり環境向けの量産システム
- 自動カセット・トゥ・カセット運用（エルゴロード、SMIFまたはFOUP）
- コンタミネーションフリーの裏面搬送
- メガソニック洗浄やブラシ洗浄
- メカニカルフラットまたはノッチアライメントによるプリボンディング
- 高度なリモート診断
技術データ
| ウェーハ径（基板サイズ） |
|---|
| 100 - 200, 150 - 300 mm |
| 全自動カセット・トゥ・カセット運用 |
| プリボンディングチャンバー |
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| アライメント方式：フラット・トゥ・フラットまたはノッチ・トゥ・ノッチ |
| アライメント精度：XおよびY：± 50 µm、シータ：± 0.1 ° |
| 接合荷重：最大5 N |
| 接合ウェーブ開始位置：ウェーハエッジから中心まで柔軟に設定可能 |
| 真空システム：9x10-2 mbar（標準）および 9x10-3 mbar（ターボポンプ付きオプション） |
| LowTemp™プラズマ活性化モジュール |
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| 標準プロセスガス2種：N2とO2、および追加プロセスガス2種：高純度ガス（99.999%）、希ガス（Ar、He、Neなど）、フォーミングガス（N2またはArに最大4%のH2を混合） |
| ユニバーサルマスフローコントローラー：最大4種類のプロセスガスに対応する自己校正機能、レシピプログラム可能、最大流量20,000 sccm |
| 真空システム：9x10-2（標準）および 9x10-3 mbar（ターボポンプ付きオプション）、高周波RFジェネレーターおよびマッチングユニット |
| 洗浄ステーション |
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| 洗浄方法：リンス（標準）、メガソニックノズル、メガソニックエリアトランスデューサー、ジェットノズル、ブラシ（オプション） |
| チャンバー：PP製またはPFA製 |
| 洗浄媒体：純水（標準）、最大濃度2%のNH4OHおよびH2O2（オプション） |
| スピナーチャック：金属イオンフリーかつクリーンな材質を使用した真空チャック（標準）およびエッジ搬送チャック（オプション） |
| 回転：最大3000 rpm（5秒） |
| 洗浄アーム：最大5系統のメディアラインに対応（メガソニックシステム1台で2ラインを使用） |
| オプション機能 |
|---|
| ISO 3 ミニエンバイロメント（ISO 14644準拠） |
| LowTemp™プラズマ活性化チャンバー |
| IR検査ステーション |
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