EV Groupが、次世代3次元デバイス向けウェーハ接合における
オーバーレイ精度の技術限界を打破

ウェーハ接合およびリソグラフィ装置のリーディングサプライヤーであるEV Group(本社: オーストリア ザンクト・フローリアン、以下: EVG)は、多層3D- ICの配線密度をさらに高めるための開発を加速していることを発表しました。ナノエレクトロニクスとデジタルテクノロジー分野における、世界的な研究機関およびイノベーションハブであるimecとの3D集積化プログラムを通し、弊社は既に高密度配線を有する多層3D- ICの全自動ハイブリッド/フュージョン接合において、優れたウェーハto ウェーハ(W2W)オーバーレイ精度を達成しています。今後EVGはサブミクロンのW2W配線技術におけるより厳しいオーバーレイ精度要件に対応し、次世代デバイス構造開発への道を切り拓きます。

EVGで、知的財産・技術開発本部のディレクターを務めるMarkus Wimplingerは、次のように述べています。「ウェーハ接合技術は、ロジックへのSRAMや3D NANDフラッシュメモリ積層、3D システム・オン・チップ(3D SoC)といった新たなデバイスコンセプト、次世代ロジックデバイスおよび3D-IC向け裏面電源供給ネットワークといった最新のイメージセンサーコンセプトやデバイス構造を可能にし、デバイスの継続的なスケーリングを実現します。 imecと弊社のクリーンルーム施設で並行して実施されている共同開発により、両者はお互いに設備と専門知識を共有でき、この緊密な連携は3次元積層型デバイス向けの新しいプロセスソリューションの迅速な開発を可能にします。 最先端集積化技術の研究開発におけるimecのリーダーシップが、EVGのW2W接合技術と組み合わさり、技術ブロックの最適な分割とW2W集積化によって、パフォーマンスの大幅な改善、新たなアプリケーション、および最小コストでのデバイス開発が実現します」

W2W接合は、3次元積層によりICの高密度集積化を可能にする実証済みの技術です。 これにより、メモリとロジックといった異なる機能、または異種材料基板のウェーハ/IC積層が可能となります。 接合が行われる前には、上部と下部のウェーハを高精度で位置合わせする必要があります。imecのクリーンルームに導入されたEVGのGEMINI®FB XT全自動ハイブリッド/フュージョン接合装置は、EVG独自のSmartView®アライメント技術を用いて積層ウェーハの相互接続ピッチを縮小し、将来の3D- IC設計の要求を満たす最高の歩留まりと卓越したオーバーレイ精度を実現します。

EVGは、2019年12月11日(水)から13日(金)にかけて、東京ビッグサイトで開催されるSEMICON Japanに出展し、3次元集積化向けハイブリッド/フュージョン接合ソリューションをはじめ、ウェーハ接合、リソグラフィ、レジストプロセス等の幅広い装置・技術ラインナップをご紹介いたします。是非弊社ブース(#7624)へお越しください。

EVGの3次元デバイス集積化向けフュージョン/ハイブリッド接合の詳細については、下記をご参照ください
https://www.evgroup.com/ja/technologies/fusion-and-hybrid-bonding/.

EV GROUP(EVG)について

EV Group(EVG)は半導体、MEMS、化合物半導体、パワーデバイスおよびナノテクノロジーデバイスの製造装置およびプロセスソリューションのリーディングサプライヤーです。主要製品には、ウェーハ接合、薄ウェーハプロセス、リソグラフィ/ナノインプリントリソグラフィ(NIL)や計測機器だけでなく、フォトレジストコーター、クリーナー、検査装置などがあります。1980年に設立されたEVGは、グローバルなお客様および世界中のパートナーに対し緻密なネットワークでサービスとサポートを提供します。 EVGに関する詳しい情報はwww.EVGroup.comをご参照ください。

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