Configurable for all wafer bonding processes such as anodic, thermo
compression, fusion bonding, or LowTemp plasma bonding.
EVG®
501半自動ウェーハボンダーは、200㎜までの基盤サイズに対応し、研究開発又は生産用ボンダーで、プロセスは自動で行い、基盤の搬送やセッティングは手動で行う装置です。 EVG®
501は、すでに実績のある加熱・加圧を均一に行うアプリケーションを採用しています。 モジュール式のボンドチャンバーは150㎜から200㎜までの基盤に対応しており、性能がより高い他のEVG®
500シリーズのボンダーや統合装置Gemini® のレシピにも対応しています。
特徴
- 全自動プロセス、手動での基盤搬送/セッティング
- シングルチャンバー
- より安い維持管理費
- 均一でない加圧や加熱にも対応
- EVGのウェーハボンダー全てのレシピに対応可能
- 迅速な加熱とパンピング仕様による高いスループット
- オプション：
- エンボッシングプロセスの為の高真空、高接触荷重にも対応可能
- 真空UVモールディングプロセスにも対応可能