SOI-Technologie nutzt mehrschichtige Silizium -Isolator- Silizium -Wafer statt der konventionellen Silizium-Wafer, um kleinere Baugruppen zu produzieren und den Energieverbrauch zu senken.
Ein typischer Herstellungsprozess für SOI-Wafer basiert auf der Verbindung eines Silizium-Wafers mit einem Isolator-Substrat und der nachfolgenden Verdünnung des obersten Silizium-Wafers auf die gewünschte Dicke.
Der EVG850 SOI Produktions-Waferbonder wurde für die Grosserienproduktion von SOI Wafern entwickelt. Er realisiert eine vollautomatische und integrierte Prozessabfolge,die die Reinigung, Justierung, Bonding und IR Inspektion der Wafer ermöglicht.