Verbindungshalbleiter und Leistungsbauteile aus Silizium

Ausgangsbasis sind Wafer aus kombinierten Halbleitermaterialien, so genannten Compound Semiconductors.

Verbindungshalbleiter werden aus zwei oder mehr unterschiedlichen Elementen wie Galliumarsenid (GaAs) hergestellt. LEDs, Laserdioden und Festkörperlaser sind Beispiele für Bauteile, die auf Verbindungshalbleitern basieren. Leistungsbauteile sind mikroelektronische Komponenten, die essentielle funktionelle Elemente elektronischer Anlagen darstellen, z. B. Spannungswandler, Leistungsverstärker, getaktete Netzteile, etc. Für die Herstellung von Leistungsbauteilen unerlässlich sind ein hoher Durchsatz, Ertrag, Prozesskontrolle und Qualität.

Diese extrem dünnen und teuren Compound Semiconductor Wafer stellen aufgrund der großen Bruchgefahr während der Waferbearbeitung sehr hohe Anforderungen an die Prozessanlagen.
Um extrem dünne, zerbrechliche und teure Wafer aus Compound Semiconductor Materialien sicher zu prozessieren, müssen diese Wafer vorübergehend (temporär) auf einem Trägerwafer aufgebracht werden. Hierfür liefert EVG den automatischen Temporary Bonder. Nach erfolgter Prozessierung des Compound Semiconductor Wafers wird dieser im EVG Debonder wieder vom Trägerwafer getrennt.